首页产品MOS Wafer
Thench

Trench MOSFET是基于VDMOS(垂直双扩散”金属氧化物半导体”场效应晶体管)基础上发展起来的。和传统平面结构VDMOS相比,Trench MOSFET具有更优的品质因素FOM(单位面积导通电阻×栅漏电荷密度),因此具有更低的导通电阻,更小的开关损耗,更小的芯片面积。

特点
高可靠性
较低的单位面积导通电阻
应用领域
锂电池保护
较低的单位面积导通电阻
数据线
电机驱动
SGT

SGT-MOSFET是对Trench MOS的一种改良结构。较传统Trench MOSFET,SGT-MOSFET在栅电极下方增加了一块多晶硅电极,即屏蔽电极或称耦合电极。屏蔽电极与源电极相连,即实现了屏蔽栅极与漂移区的作用,减小了米勒电容,器件的开关速度得以加快,同时又实现了电荷耦合效应,减小了漂移区临界电场强度,器件的导通电阻得以减小,开关损耗能够更低。

特点
低FOM(RDs(σN)×Qg)
极低的单位面积导通电阻
应用领域
DC/DC转换
高频开关和同步整流
SJ

SJ(超结)MOSFET采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降,在高压应用时优势尤其突出。对于常规VDMOS器件结构,RDs(ON)与BV是矛盾的,要想提高BV,减小EPI掺杂浓度,导通电阻必然变大;而超级结是在提高N EPI掺杂浓度的同时,利用在NEPI中加入P柱,形成更大的PN结,在器件反偏时形成很厚的PN耗尽层,以达到高的隔离电压,从而使其RDs(oN/BV打破原有VDMOS的极限。

特点
极低的损耗源于极低的RDs(ON)xQg
卓越的EAS能力
开关速度快
应用领域
不间断电源
高性能适配器
LED照明
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Channel Polarity
Datasheet
Gross die
Description
BVDSS
VGS(±)
VGS(th)(Min.)
VGS(th)(Typ.)
VGS(th)(Max.)
RDS(on) VGS=2.5V (mΩ)(Typ.)
RDS(on) VGS=2.5V (mΩ)(Max)
RDS(on) VGS=4.5V (mΩ)(Typ.)
RDS(on) VGS=4.5V (mΩ)(Max)
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Special
Package