Trench MOSFET是基于VDMOS(垂直双扩散”金属氧化物半导体”场效应晶体管)基础上发展起来的。和传统平面结构VDMOS相比，Trench MOSFET具有更优的品质因素FOM(单位面积导通电阻×栅漏电荷密度)，因此具有更低的导通电阻，更小的开关损耗，更小的芯片面积。

SGT-MOSFET是对Trench MOS的一种改良结构。较传统Trench MOSFET，SGT-MOSFET在栅电极下方增加了一块多晶硅电极，即屏蔽电极或称耦合电极。屏蔽电极与源电极相连，即实现了屏蔽栅极与漂移区的作用，减小了米勒电容，器件的开关速度得以加快，同时又实现了电荷耦合效应，减小了漂移区临界电场强度，器件的导通电阻得以减小，开关损耗能够更低。

SJ（超结）MOSFET采用基于电荷平衡的器件结构，导通电阻明显下降，在高压应用时优势尤其突出。对于常规VDMOS器件结构，RDs(ON)与BV是矛盾的,要想提高BV,减小EPI掺杂浓度，导通电阻必然变大；而超级结是在提高N EPI掺杂浓度的同时，利用在NEPI中加入P柱，形成更大的PN结，在器件反偏时形成很厚的PN耗尽层，以达到高的隔离电压，从而使其RDs(oN/BV打破原有VDMOS的极限。