Trench MOSFET是基于VDMOS(垂直双扩散”金属氧化物半导体”场效应晶体管)基础上发展起来的。和传统平面结构VDMOS相比，Trench MOSFET具有更优的品质因素FOM(单位面积导通电阻×栅漏电荷密度)，因此具有更低的导通电阻，更小的开关损耗，更小的芯片面积。
