Thench

Trench MOSFET是基于VDMOS(垂直双扩散”金属氧化物半导体”场效应晶体管)基础上发展起来的。和传统平面结构VDMOS相比,Trench MOSFET具有更优的品质因素FOM(单位面积导通电阻×栅漏电荷密度),因此具有更低的导通电阻,更小的开关损耗,更小的芯片面积。

特点
高可靠性
较低的单位面积导通电阻
应用领域
锂电池保护
较低的单位面积导通电阻
数据线
电机驱动
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Channel Polarity
Datasheet
Gross die
Description
BVDSS
VGS(±)
VGS(th)(Min.)
VGS(th)(Typ.)
VGS(th)(Max.)
RDS(on) VGS=2.5V (mΩ)(Typ.)
RDS(on) VGS=2.5V (mΩ)(Max)
RDS(on) VGS=4.5V (mΩ)(Typ.)
RDS(on) VGS=4.5V (mΩ)(Max)
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