SJ（超结）MOSFET采用基于电荷平衡的器件结构，导通电阻明显下降，在高压应用时优势尤其突出。对于常规VDMOS器件结构，RDs(ON)与BV是矛盾的,要想提高BV,减小EPI掺杂浓度，导通电阻必然变大；而超级结是在提高N EPI掺杂浓度的同时，利用在NEPI中加入P柱，形成更大的PN结，在器件反偏时形成很厚的PN耗尽层，以达到高的隔离电压，从而使其RDs(oN/BV打破原有VDMOS的极限。
