SGT-MOSFET是对Trench MOS的一种改良结构。较传统Trench MOSFET，SGT-MOSFET在栅电极下方增加了一块多晶硅电极，即屏蔽电极或称耦合电极。屏蔽电极与源电极相连，即实现了屏蔽栅极与漂移区的作用，减小了米勒电容，器件的开关速度得以加快，同时又实现了电荷耦合效应，减小了漂移区临界电场强度，器件的导通电阻得以减小，开关损耗能够更低。
