SGT

SGT-MOSFET是对Trench MOS的一种改良结构。较传统Trench MOSFET,SGT-MOSFET在栅电极下方增加了一块多晶硅电极,即屏蔽电极或称耦合电极。屏蔽电极与源电极相连,即实现了屏蔽栅极与漂移区的作用,减小了米勒电容,器件的开关速度得以加快,同时又实现了电荷耦合效应,减小了漂移区临界电场强度,器件的导通电阻得以减小,开关损耗能够更低。

特点
低FOM(RDs(σN)×Qg)
极低的单位面积导通电阻
应用领域
DC/DC转换
高频开关和同步整流
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Channel Polarity
Datasheet
Gross die
Description
BVDSS
VGS(±)
VGS(th)(Min.)
VGS(th)(Typ.)
VGS(th)(Max.)
RDS(on) VGS=2.5V (mΩ)(Typ.)
RDS(on) VGS=2.5V (mΩ)(Max)
RDS(on) VGS=4.5V (mΩ)(Typ.)
RDS(on) VGS=4.5V (mΩ)(Max)
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